产品基于氮化铝陶瓷基板（AIN），采用活性金属钎焊（AMB）工艺生产。可作为高导热性基板材料，应用于功率晶体管模块基板，激光二极管安装基板，IC封装。此外，由于其对卤素气体的优异耐腐蚀性，它还能作为半导体制造设备的零部件使用。

材料性能 MATERIAL PROPERTIES

氮化硅瓷片 Si₃N₄ Ceramic

氮化铝瓷片 AlN Ceramic

铜层 Copper

常规物性 GENRAL PROPERTIES

厚度组合-氮化硅 Si₃N₄ Thickness combination

厚度组合-氮化铝 AlN Thickness combination

常规尺寸  Regular size

翘曲 Warpage

翘曲度与产品尺寸、定制化蚀刻线路及正反面铜层覆盖情况等多种因素有关，需要在样品交付后，同客户双方商定。

AMB覆铜板性能 AMB SUBSTRATE PROPERTIES

耐温特性 Temperature resistance characteristics

温度循环 Temperature cycle

空洞率（超声波扫描） Void content（C-SAM）

空洞率≤1％

剥离强度 Void content（C-SAM）

剥离强度≥10N/mm（50mm/min@0.32mm SI₃N₄/0.3Cu）

剥离强度≥6N /mm（50mm/min@0.63mm AlN/0.3Cu）

焊接润湿性 Solder wettability

焊接润湿＞95％

设计特征 DESSIGN FEATURES

厚度公差  Thickness tolerance

蚀刻公差  Etching tolerance

线宽线距  Line width line spacing

铜自由区  Copper free area

正背面对位公差  Copper free area

蚀刻因子  Etching factor

陶瓷崩边  Chip-off at ceramic edge

表面粗糙度  Surface roughness

铜层表面处理 Copper surface treatment

阻焊 Solder mask