AMB陶瓷覆铜基板是一种出色的导热材料，具有低空洞率、低翘曲度、高热导率、高可靠性等优点，已经成为第三代半导体（SiC）功率模块和大功率IGBT模块封装的最佳选择。
产品基于氮化硅陶瓷基板（Si₃N₄），采用活性金属钎焊（AMB）工艺生产，适用于碳化硅（SiC）功率模块等高功率密度、高可靠性、要求寿命长的应用场景。
产品基于氮化铝陶瓷基板（AIN），采用活性金属钎焊（AMB）工艺生产。可作为高导热性基板材料，应用于功率晶体管模块基板，激光二极管安装基板，IC封装。此外，由于其对卤素气体的优异耐腐蚀性，它还能作为半导体制造设备的零部件使用。
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