产品基于氮化硅陶瓷基板(Si₃N₄),采用活性金属钎焊(AMB)工艺生产,适用于碳化硅(SiC)功率模块等高功率密度、高可靠性、要求寿命长的应用场景。

产品详情

材料性能 MATERIAL PROPERTIES


氮化硅瓷片 Si₃N₄Ceramic


铜层 Copper



常规物性 GENERAL PROPERTIES


厚度组合 Thickness combination


常规尺寸 Regular size


翘曲 Warpage

翘曲度与产品尺寸、定制化蚀刻线路及正反面铜层覆盖情况等多种因素有关,需要在样品交付后,同客户双方商定。



AMB 覆铜衬板性能 AMB SUBSTRATE PROPERTIES


耐温特性 Temperature resistance characteristics


温度循环 Temperature  cycle


空洞率(超声波扫描)Void   content(C-SAM)

空洞率≤1%


剥离强度 Peeling strength

剥离强度≥10.0N/mm(50mm/min@0.32mm     Si₃N₄/0.3Cu)


焊接润湿性 Solder wettability

焊接润湿>95%



设计特征 DESIGN FEATURES


厚度公差 Thickness tolerance


蚀刻公差 Etching tolerance


线宽线距 Line width line spacing


铜自由区 Copperfree area


正背面铜箔对位公差 Mismatch copper pattern front/back


蚀刻因子 Etching  factor


陶瓷崩边 Chip-off at ceramic edge


表面粗糙度 Surface roughness

项目 Items单位 Unit

氮化硅 Si₃N₄

表面粗糙度 Surface roughness

μm

Ra≤1.5μm;Rz≤10μm;Rmax=50μm

注:粗糙度可根据客户要求降低。


铜层表面处理 Coppersurface treatment

项目 Items

厚度 Thickness

Ni

2.00~8.00μm

Ni-Au

2.00~8.00μm/0.01~0.15μm

Ni-Pd-Au

2.00~8.00μm/0.01~0.1μm/0.01~0.15μm

Ag

0.10~1.00μm

注:镀层厚度可根据客户要求处理。


阻焊 Solder mask

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